008: Noise source

 雑音指数の測定に欠かせない信号源がこのノイズソースで、中身はホワイトノイズを発生するツェナーダイオードと良質なATTの組合せで構成されている。求められるのは、(1)広い周波数帯域で強く安定したノイズを発生すること。(2)被測定装置(DUT)の終端器として良好なリターンロス(≧40dB)を持つこと。

 最初はRF用トランジスタのBE間を7.5Vのツェナーとして使ったが、裸ENRは27dBといま一つもの足りないレベル。困ったのは、時間経過に伴う発生雑音量の変動が大きいことで、精密なNF調整や評価には不向きだった。

 二作目は、JA1AUH後藤さんからアドバンスドセミコンダクタ社のAN1000を分けてもらい、これとHP8491A(20dB)ATTを組み合わせてモジュールにした。雑音量はさすがに安定しており、周波数特性もFBだが、2GHz以上でENRが少し低下する点が惜しまれる。

 三作目は10GHz用トランスバータの製作に併せてNoisecom社のNC304を使ったXバンド専用のノイズソースを作った。これはHP346Bなどの既製品ノイズソースにかなり近い特性が得られたと思う。

 ダイオードの出す白色雑音もATTの熱雑音も温度により僅かに変動するが、第二作を使い室温30℃と10℃でENRを実測したら0.1dBの差があった。製作は1988~1993年。


A noise source mainly consists of a combination of the noise diode and an attenuator of good quality. The important point is to generate noise which is strong and stable through the wide frequency range, and to have good return-loss for the DUT (LNA, front end of receiver).

Three noise sources are exhibited here. A transistor was used instead of Zener diode first. The naked ENR is 27dB and not satisfactory. A fluctuation of the noise amount with the time course and the room temperature change was a little big and unsuitable for precise NF measurement and tweaking.

An avalanche breakdown diode AN1000 of exclusive noise generation use manufactured by Advanced Semiconductor and the HP ATT were combined for the second work. ENR was improved drastically, but it was regrettable that it falls by more than 2 GHz.

Next is a noise source of X band exclusive use using NC304, product of Noisecom. I think this could get the quality close to a ready-made noise source.

0.1dB of ENR thermal drift was recorded with my 2nd work noise source at 30℃ and 10℃. So the temperature control is initially necessary if precise NF measurement is needed. Making was in 1988-1993.

 

 

 

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2019年08月14日